RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
47
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2631
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Informar de un error
×
Bug description
Source link