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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Compara
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
75
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
55
75
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2424
1717
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
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