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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
55
75
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
55
75
Velocidade de leitura, GB/s
9.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2424
1717
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
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Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
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Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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