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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Compara
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
55
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.9
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
55
51
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
9.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2424
2314
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
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