RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
55
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.9
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
55
51
Velocidade de leitura, GB/s
9.4
9.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2424
2314
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link