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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
81
En 59% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
81
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
1554
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
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