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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
33
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
32
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3422
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
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Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
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