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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
8.0
17.3
写入速度,GB/s
7.3
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3422
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
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