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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
24
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
4110
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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