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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
122
En 70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
122
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1411
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
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