RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
122
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
122
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
9.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1411
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link