RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
122
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
122
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
9.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1411
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link