RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
122
Wokół strony 70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
122
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1411
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link