RAM-Vergleich Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Gesamtnote

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

37 122

Rund um 70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.2 9.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.4 5.8

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2143 1411

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns