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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
33
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.2
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
21
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
21.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
19.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
4404
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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