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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
53
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
53
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2871
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
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Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
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