RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB

Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 53
    周辺 38% 低遅延
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB 考慮すべき理由
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 53
  • 読み出し速度、GB/s
    8.0 left arrow 13.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 13.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1911 left arrow 2871

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAMの比較

Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
メモリRAM