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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
31
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3120
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KY7N41-MID 8GB
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