RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2372
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link