RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2372
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link