RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
47
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3227
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link