RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2993
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link