RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
63
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2468
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link