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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
63
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
34
读取速度,GB/s
8.1
15.6
写入速度,GB/s
7.5
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2468
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
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