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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
16.9
19.5
写入速度,GB/s
12.0
14.5
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3391
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
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