RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2690
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link