RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
52
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.5
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
2690
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link