RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
47
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3227
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link