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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2855
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
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