RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2855
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link