RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2623
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link