RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
24.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
4001
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link