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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
24.1
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
15.0
24.1
写入速度,GB/s
10.3
16.6
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
4001
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
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