RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Porównaj
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
79
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,468.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
79
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,061.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,468.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
422
3665
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link