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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
36
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2907
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
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