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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
34
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3249
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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