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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB

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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 10.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 6.6
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 40
    En -29% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    40 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 10.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 6.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1806 left arrow 1669

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