RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
40
Autour de -29% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
40
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1806
1669
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link