Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Punteggio complessivo
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 10.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.8 left arrow 6.6
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 40
    Intorno -29% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    40 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.3 left arrow 10.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 6.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1806 left arrow 1669
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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