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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
40
Por volta de -29% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
40
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
6.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
1669
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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