RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
32
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.5
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1669
3347
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link