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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
40
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
40
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
1669
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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