RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
33
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
22
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3115
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link