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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
8.0
17.8
写入速度,GB/s
7.3
13.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3115
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
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