RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
39
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
39
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3027
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link