RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
39
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
39
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.3
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3027
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link