RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.3
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3027
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link