RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
59
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
46
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
11.6
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2469
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link