RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905734-003.A00G 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2886
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link