RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
35
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
16
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
35
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2886
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link