RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
72
En 54% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
72
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
1951
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link